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基础理论
应用技术
软科学
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展开
类别:
不限
先进制造
地球、空间与海洋
新材料
新能源与节能
核应用技术
环境保护
现代农业
生物医药与医疗器械
电子信息
航空航天
区域:
电力SI器件专项基础技术
年份:2005年
领域:应用技术
类别:电子信息
1、成果内容简介:该成果所属专题设置的总体任务是配合电力静电感应器件的科技攻关,在国内形成基础理论研究,基础技术研究,器件制造和器件应用一条龙的体系,为中国研制各类SI器件打下扎实的基础(包括理论分析..
VLSI及VHSIC陶瓷外壳
年份:2005年
领域:应用技术
类别:电子信息
一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标:1、成果内容简介:大规模集成电路高密度封装外壳自“七五”科技攻关首次开发了44-132管脚外壳产品之后,“八五”期间,该专题又开发了132-209管脚五种外壳..
电力静电感应SI器件
年份:2005年
领域:应用技术
类别:电子信息
一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标:1、成果内容简介:电力静电感应(SI)器件,包括静电感应晶体(SIT)、双极模式静电感应晶体管(BSTT)、静电感应晶闸管(SITRh)以及SI模块等,称为S..
用于微波单片和功率管的GaAs VPE材料
年份:2005年
领域:应用技术
类别:电子信息
一、成果内容简介:采用常用规的Ga/AsCl_3/H_2氯化物气相外延的方法,在Si-GaAs单晶衬底上生长出适用于CaAsMMIC和功率MESFET的2in与3inn+/n/n-/Si-GaAs多层..
MOCVD生长GaAlAs/GaAs HBT材料
年份:2005年
领域:应用技术
类别:电子信息
1.成果内容简介:该成果采用MOCVD生长HBT材料,解决了GaAs体材料的纯度,找到了克服GaAlAs氧沾污的方法,尤其是采用最新的P-GaAs掺C技术,满足了异质结与P-N结的陡峭分布,做到了基区..
SIT、SITH、BSIT用高阻厚层外延片
年份:2005年
领域:应用技术
类别:电子信息
用三氯硅烷还原的原理,用气相外延技术制备用于新型电力电子器件的3种不同结构的关键基础材料。技术指标为(片径均为φ76mm):1、N-/N+结构:N-层浓度(3-8)×10^(13)cm^(-3),可控..
用于MIMIC电路的GaAs VPE材料
年份:2005年
领域:应用技术
类别:电子信息
1.成果内容简介:自行设计了微机控制立式GaAsVPE设备,其具有独特型式的喷置,有利于减小气流的“死空间”;精巧的Ga舟组合保证外延生长正常进行;衬托旋转。转速可调,有利于改善均匀性;生长过程用微机..
新型半导体异质结构和器件物理研究
年份:2005年
领域:应用技术
类别:电子信息
新型半导体异质结构属半导体科学技术领域,是现代高速微电子、光电子和微波等先进器件的核心。随着半导体异质结构材料、技术和物理研究的不断深入,半导体器件不断推陈出新,更新换代,使半导体科学技术得到迅猛发展..
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